分立器件
公司拥有专利的分立器件测试模块和测试方案，创造性的把高压和大电流集合到一个模块，实现了一些传统技术不能达成的测试方案，下面是一些行业内领先的Mosfet（含IGBT等）测试方案：
业内独有拥有专利的高速分立器件测试模块DDC2K200(2000V/200A),一个模块可以覆盖2000V/200A以内所有分立器件的直流项目测试，而且具有极快的测试速度，一般的二极管和简单的mosfet，测试时间在20ms左右，远远快于传统的分立器件测试机。增加选件，可以增强测试能力至3000V。
| 产品 | 种类 | 产品名称 | 电压参数(V) | 电流参数(V) | 测试时间（ms） |
| 二极管 | IN4148 | 160V | 25ms | ||
| Mosfet | NPN | *6N80C | 885V | 3.8A | 39ms |
| Mosfet | NPN | **FBG30 | 1180V | 2A | 45ms |
| Mosfet | NPN | **3606PB | 60V | 60A | 47ms |
| Mosfet | NPN | **FBG30 | 1180V | 2A | 48ms（8颗同测） |
备注：测试时间在常规测试项目和测试条件下取得。如果用两片DDC1230/E采取分站并测的模式（Index Parallel），测试时间还可以减半。这里以Mosfet举例，也覆盖IGBT及第三代半导体如GaN和SIC等。
业内领先的分立器件测试方案介绍：
双MOSFET及更多MOSFET封装在一起（共DRAIN或共SOURCE封装，或完全独立封装)，同时要求对各种直流和交流参数进行全面的测试，还必须达到在线100%QA，这些产品对分立器件的测试有了很高的要求，传统的独立式功能测试机已经满足不了这样的测试需求。我们具有专利的独特技术（任意站可以任意设置测试参数）让这些要求轻易得到了解决，无论是联2站、3站还是4站甚至6站的机械手都可以轻松实现上述测试要求。点击可查看6站的测试方案。
每一站都可配置单独的直流模块（1400V/30A）来测试, 可测试相同或不同的DC项目。 总的测试时间由最长的一站来决定,合理分配使每站测试时间接近于相同。
QA站利用不同模块来测试，能够实现真正意义上的在线100%QA测试，确保出货100%良品。
所有方案都有防呆设计，用户不会因为疏忽而产生误操作引起生产故障。
现在越来越多的MOSFET需要在晶圆级进行DC+AC的全部复杂测试,这样对圆片的质量有更好的掌控,,对于成品测试也可以更加灵活的设置要求.SineTest根据客户的要求,推出了已量产的8工DC+AC测试方案,根据需要可扩展至更多工位!
现在Mosfet做的越来越小，有时一张8“的圆片上有超过20万颗die，这时候就需要更多site的测试方案，我们根据客户需要推出了32工位的圆片测试方案，极大的提高了一套设备的单位小时产出。
我们为Non BGBA的wafer也提供测试方案。目前大量高端客户已经采用了相当复杂的双MOS甚至4MOS BUMPING的方案，而且多MOS间共源极或共漏极，这样对测试也提出了新的要求，而且不单单是测试直流参数，也需要测试UIL等参数。对于这些特殊要求SineTest都有合适的测试方案。